NVTFS6H880NTAG

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Parte del produttore

NVTFS6H880NTAG

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
3465
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):80 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.3A (Ta), 21A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:32mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 20µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:6.9 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:370 pF @ 40 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 31W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-WDFN (3.3x3.3)
  • pacchetto / custodia:8-PowerWDFN
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