FQPF8N80CYDTU

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Parte del produttore

FQPF8N80CYDTU

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
38625
Schede tecniche in linea
FQPF8N80CYDTU PDF
Inchiesta
  • serie:*
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):800 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.55Ohm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.05 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):59W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220F-3 (Y-Forming)
  • pacchetto / custodia:TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
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