Name: G2R1000MT17J
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: G2R1000MT17J
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: G2R1000MT17J

Produttore: GeneSiC Semiconductor

Descrizione: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 2

Schede tecniche in linea: -

G2R1000MT17J Avviso

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serie:G2R™
pacchetto:Tube
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
drain to source tensione (vdss):1700 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):20V
rds su (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 2mA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:-
vg (massimo):+20V, -10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:139 pF @ 1000 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):54W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-263-7
pacchetto / custodia:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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