Name: SIHH27N60EF-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIHH27N60EF-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: SIHH27N60EF-T1-GE3

Produttore: Vishay / Siliconix

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 260000

Schede tecniche in linea: SIHH27N60EF-T1-GE3 PDF

SIHH27N60EF-T1-GE3 Avviso

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serie:E
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:29A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:100mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:135 nC @ 10 V
vg (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2609 pF @ 100 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):202W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:PowerPAK® 8 x 8
pacchetto / custodia:8-PowerTDFN

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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IRF2804STRLPBF IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	Disponibile: 2.000 Su ordine: 2.000	$2.50000
AON2406 Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN	Disponibile: 110.000 Su ordine: 110.000	$0.66000