FDB7030L

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Parte del produttore

FDB7030L

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
5000
Schede tecniche in linea
FDB7030L PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:7mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 5 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.44 pF @ 15 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):68W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-263AB
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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