HAT2165H-EL-E

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Parte del produttore

HAT2165H-EL-E

Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
74406
Schede tecniche in linea
HAT2165H-EL-E PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:55A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 27.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5180 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):30W (Tc)
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:LFPAK
  • pacchetto / custodia:SC-100, SOT-669
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