IRFH8318TRPBF

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Parte del produttore

IRFH8318TRPBF

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
220000
Schede tecniche in linea
IRFH8318TRPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:27A (Ta), 120A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:3.1mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.35V @ 50µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3180 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 59W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PQFN (5x6)
  • pacchetto / custodia:8-PowerTDFN
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