EPC2032

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Parte del produttore

EPC2032

Produttore
EPC
Descrizione
GANFET N-CH 100V 48A DIE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
31004
Schede tecniche in linea
EPC2032 PDF
Inchiesta
  • serie:eGaN®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain to source tensione (vdss):100 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:48A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):5V
  • rds su (max) @ id, vgs:4mOhm @ 30A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 11mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 5 V
  • vg (massimo):+6V, -4V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1530 pF @ 50 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):-
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Die
  • pacchetto / custodia:Die
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