Name: EPC2001C
Brand: EPC
SKU: EPC2001C
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: EPC2001C

Produttore: EPC

Descrizione: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 89241

Schede tecniche in linea: EPC2001C PDF

EPC2001C Avviso

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serie:eGaN®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
drain to source tensione (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:36A (Ta)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):5V
rds su (max) @ id, vgs:7mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 5mA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:9 nC @ 5 V
vg (massimo):+6V, -4V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:900 pF @ 50 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):-
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:Die Outline (11-Solder Bar)
pacchetto / custodia:Die

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
CSD19531Q5AT Texas	MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON	Disponibile: 112	$2.11000
RFB18N10CSVM Rochester Electronics	N-CHANNEL POWER MOSFET	Disponibile: 0	$2.30000
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IRLML0060TRPBF IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23	Disponibile: 103.136	$0.51000
RSC002P03T316 ROHM Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 250MA SST3	Disponibile: 31.059	$0.29000
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HUFA75639S3ST-F085A Rochester Electronics	MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK	Disponibile: 766	$1.03000
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