IPD50N06S4L12ATMA2

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Parte del produttore

IPD50N06S4L12ATMA2

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
47000
Schede tecniche in linea
IPD50N06S4L12ATMA2 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:50A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:12mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 20µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±16V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2890 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO252-3-11
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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