FDT86102LZ

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Parte del produttore

FDT86102LZ

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
1050
Schede tecniche in linea
FDT86102LZ PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):100 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.6A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:28mOhm @ 6.6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1490 pF @ 50 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):2.2W (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SOT-223-4
  • pacchetto / custodia:TO-261-4, TO-261AA
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