NTTFS1D8N02P1E

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Parte del produttore

NTTFS1D8N02P1E

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
300063000
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):25 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A (Ta), 152A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.3mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 700µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:38 nC @ 10 V
  • vg (massimo):+16V, -12V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3159 pF @ 13 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):800mW (Ta), 48W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-PQFN (3.3x3.3)
  • pacchetto / custodia:8-PowerWDFN
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