IRLR3705ZPBF

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Parte del produttore

IRLR3705ZPBF

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
HEXFET POWER MOSFET
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
60000
Schede tecniche in linea
IRLR3705ZPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):55 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:42A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:8mOhm @ 42A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:66 nC @ 5 V
  • vg (massimo):±16V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.9 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):130W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D-Pak
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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