SI3456DDV-T1-GE3

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Parte del produttore

SI3456DDV-T1-GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
33600
Schede tecniche in linea
SI3456DDV-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.3A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:40mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:9 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:325 pF @ 15 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:6-TSOP
  • pacchetto / custodia:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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