IRFR1018EPBF

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Parte del produttore

IRFR1018EPBF

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
4403
Schede tecniche in linea
IRFR1018EPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:56A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):-
  • rds su (max) @ id, vgs:8.4mOhm @ 47A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 100µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:69 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2290 pF @ 50 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D-PAK (TO-252AA)
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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