CSD18536KTT

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Parte del produttore

CSD18536KTT

Produttore
Texas
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
8200
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:NexFET™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:200A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:140 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:11430 pF @ 30 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DDPAK/TO-263-3
  • pacchetto / custodia:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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