TP65H480G4JSG-TR

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Parte del produttore

TP65H480G4JSG-TR

Produttore
Transphorm
Descrizione
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
328
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain to source tensione (vdss):650 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.6A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):8V
  • rds su (max) @ id, vgs:560mOhm @ 3.4A, 8V
  • vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 500µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:8 V @ 8 nC
  • vg (massimo):±18V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:400 V @ 760 pF
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):13.2W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:3-PQFN (5x6)
  • pacchetto / custodia:3-SMD, Flat Lead
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