Name: BSZ42DN25NS3GATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSZ42DN25NS3GATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: BSZ42DN25NS3GATMA1

Produttore: IR (Infineon Technologies)

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 193961

Schede tecniche in linea: BSZ42DN25NS3GATMA1 PDF

BSZ42DN25NS3GATMA1 Avviso

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serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):250 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:425mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 13µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:5.5 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:430 pF @ 100 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):33.8W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TSDSON-8
pacchetto / custodia:8-PowerTDFN

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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IPD50N06S2-14 Rochester Electronics	IPD50N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT	Disponibile: 15.000 Su ordine: 15.000	$0.50000
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SSM6J422TU,LF Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	MOSFET P-CH 20V 4A UF6	Disponibile: 10.518 Su ordine: 10.518	$0.37000
DMN2055U-13 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1	Disponibile: 10.000.000 Su ordine: 10.000.000	$0.07550
FDS6574A Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC	Disponibile: 4.000.000 Su ordine: 4.000.000	$1.68000
RW1A013ZPT2R ROHM Semiconductor	MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT	Disponibile: 140.000 Su ordine: 140.000	$0.50000
STD100N10F7 STMicroelectronics	MOSFET N CH 100V 80A DPAK	Disponibile: 370.000 Su ordine: 370.000	$2.25000