NVMFS5C682NLAFT1G

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Parte del produttore

NVMFS5C682NLAFT1G

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
500000
Schede tecniche in linea
NVMFS5C682NLAFT1G PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.8A (Ta), 25A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:21mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 16µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:5 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:410 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3.5W (Ta), 28W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • pacchetto / custodia:8-PowerTDFN, 5 Leads
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