RS1G120MNTB

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Parte del produttore

RS1G120MNTB

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
601532
Schede tecniche in linea
RS1G120MNTB PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):40 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:12A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:16.2mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:9.4 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:570 pF @ 20 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 25W (Tc)
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-HSOP
  • pacchetto / custodia:8-PowerTDFN
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