TPH5200FNH,L1Q

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Parte del produttore

TPH5200FNH,L1Q

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
280000
Schede tecniche in linea
TPH5200FNH,L1Q PDF
Inchiesta
  • serie:U-MOSVIII-H
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):250 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:26A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:52mOhm @ 13A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2200 pF @ 100 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):78W (Tc)
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SOP Advance (5x5)
  • pacchetto / custodia:8-PowerVDFN
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