IRLS4030TRLPBF

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Parte del produttore

IRLS4030TRLPBF

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
41000
Schede tecniche in linea
IRLS4030TRLPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):100 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:180A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:4.3mOhm @ 110A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:130 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):±16V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:11360 pF @ 50 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):370W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D2PAK
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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