UPA2825T1S-E2-AT

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Parte del produttore

UPA2825T1S-E2-AT

Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
UPA2825T1S-E2-AT PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Last Time Buy
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:24A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:4.6mOhm @ 24A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:57 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2600 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:-
  • pacchetto / custodia:8-PowerWDFN
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