Name: IPB180N06S4H1ATMA2
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB180N06S4H1ATMA2
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: IPB180N06S4H1ATMA2

Produttore: IR (Infineon Technologies)

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 400000

Schede tecniche in linea: IPB180N06S4H1ATMA2 PDF

IPB180N06S4H1ATMA2 Avviso

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serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:180A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 200µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:270 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:21900 pF @ 25 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):250W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO263-7-3
pacchetto / custodia:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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DMN61D9U-13 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3	Disponibile: 10.000 Su ordine: 10.000	$0.05456
AOD4286 Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	MOSFET N CH 100V 4A TO252	Disponibile: 500.000 Su ordine: 500.000	$0.24722
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SIR871DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8	Disponibile: 2.000 Su ordine: 2.000	$2.18000