RQ1E070RPTR

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Parte del produttore

RQ1E070RPTR

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
2722
Schede tecniche in linea
RQ1E070RPTR PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:17mOhm @ 7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 5 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):550mW (Ta)
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TSMT8
  • pacchetto / custodia:8-SMD, Flat Lead
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