EPC2015C

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Parte del produttore

EPC2015C

Produttore
EPC
Descrizione
GANFET N-CH 40V 53A DIE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
6127
Schede tecniche in linea
EPC2015C PDF
Inchiesta
  • serie:eGaN®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain to source tensione (vdss):40 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:53A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):5V
  • rds su (max) @ id, vgs:4mOhm @ 33A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 9mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:8.7 nC @ 5 V
  • vg (massimo):+6V, -4V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1180 pF @ 20 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):-
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Die
  • pacchetto / custodia:Die
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