BSM400C12P3G202

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Parte del produttore

BSM400C12P3G202

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
1
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain to source tensione (vdss):1200 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:400A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):-
  • rds su (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:5.6V @ 106.8mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (massimo):+22V, -4V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:17000 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1570W (Tc)
  • temperatura di esercizio:175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Module
  • pacchetto / custodia:Module
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