HTNFET-TC

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Parte del produttore

HTNFET-TC

Produttore
Honeywell Aerospace
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
HTNFET-TC PDF
Inchiesta
  • serie:HTMOS™
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):55 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:-
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):5V
  • rds su (max) @ id, vgs:400mOhm @ 100mA, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 100µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:4.3 nC @ 5 V
  • vg (massimo):10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 28 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):50W (Tj)
  • temperatura di esercizio:-
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:-
  • pacchetto / custodia:-
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