SSM3K329R,LF

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Parte del produttore

SSM3K329R,LF

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
1600000
Schede tecniche in linea
SSM3K329R,LF PDF
Inchiesta
  • serie:U-MOSIII
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.5A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):1.8V, 4V
  • rds su (max) @ id, vgs:126mOhm @ 1A, 4V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:1.5 nC @ 4 V
  • vg (massimo):±12V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:123 pF @ 15 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SOT-23F
  • pacchetto / custodia:SOT-23-3 Flat Leads
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