Name: TPN4R303NL,L1Q
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TPN4R303NL,L1Q
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: TPN4R303NL,L1Q

Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 0

Schede tecniche in linea: TPN4R303NL,L1Q PDF

TPN4R303NL,L1Q Avviso

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serie:U-MOSVIII-H
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:40A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.3V @ 200µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:14.8 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1400 pF @ 15 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):700mW (Ta), 34W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:8-TSON Advance (3.3x3.3)
pacchetto / custodia:8-PowerVDFN

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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