NVD5802NT4G-VF01

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Parte del produttore

NVD5802NT4G-VF01

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Not For New Designs
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):40 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:16.4A (Ta), 101A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:4.4mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5300 pF @ 12 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DPAK
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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