Name: BSC019N02KSGAUMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSC019N02KSGAUMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: BSC019N02KSGAUMA1

Produttore: IR (Infineon Technologies)

Descrizione: MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 0

Schede tecniche in linea: BSC019N02KSGAUMA1 PDF

BSC019N02KSGAUMA1 Avviso

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serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato di parte:Not For New Designs
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30A (Ta), 100A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:1.95mOhm @ 50A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.2V @ 350µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:85 nC @ 4.5 V
vg (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:13000 pF @ 10 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TDSON-8-1
pacchetto / custodia:8-PowerTDFN

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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