Name: SPB21N50C3ATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: SPB21N50C3ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: SPB21N50C3ATMA1

Produttore: IR (Infineon Technologies)

Descrizione: MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 1047

Schede tecniche in linea: SPB21N50C3ATMA1 PDF

SPB21N50C3ATMA1 Avviso

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serie:CoolMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Not For New Designs
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):560 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:21A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:190mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.9V @ 1mA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:95 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2400 pF @ 25 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):208W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO263-3-2
pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56	Disponibile: 76	$1.07000
EPC2030 EPC	GANFET NCH 40V 31A DIE	Disponibile: 3.077	$7.20000
MTB60N05HDL Rochester Electronics	N-CHANNEL POWER MOSFET	Disponibile: 700	$0.63000
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FDD6637 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK	Disponibile: 0	$1.12000