SIHG30N60E-GE3

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Parte del produttore

SIHG30N60E-GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
414
Schede tecniche in linea
SIHG30N60E-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):600 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:29A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:125mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:130 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2600 pF @ 100 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):250W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247AC
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
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