FDFS2P103

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Parte del produttore

FDFS2P103

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
29870
Schede tecniche in linea
FDFS2P103 PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.3A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:59mOhm @ 5.3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 5 V
  • vg (massimo):±25V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:528 pF @ 15 V
  • caratteristica dei piedi:Schottky Diode (Isolated)
  • dissipazione di potenza (max):900mW (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SOIC
  • pacchetto / custodia:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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