NTMFS5H414NLT1G

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Parte del produttore

NTMFS5H414NLT1G

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
21000
Schede tecniche in linea
NTMFS5H414NLT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):40 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:35A (Ta), 210A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.4mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:75 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4.55 pF @ 20 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 110W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • pacchetto / custodia:8-PowerTDFN, 5 Leads
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