Name: FQI3N30TU
Brand: Rochester Electronics
SKU: FQI3N30TU
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: FQI3N30TU

Produttore: Rochester Electronics

Descrizione: MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 1146

Schede tecniche in linea: FQI3N30TU PDF

FQI3N30TU Avviso

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serie:QFET®
pacchetto:Tube
stato di parte:Obsolete
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):300 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.2A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:2.2Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
vg (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:230 pF @ 25 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):3.13W (Ta), 55W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:I2PAK (TO-262)
pacchetto / custodia:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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FQB8P10TM Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK	Disponibile: 3	$1.01000
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BUK9240-100A,118 Nexperia	MOSFET N-CH 100V 33A DPAK	Disponibile: 636	$0.81000
NVD6414ANT4G Rochester Electronics	32A, 100V, 0.037OHM, N-CHANNEL,	Disponibile: 0	$0.49000
BSS84-H Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3	Disponibile: 0	$0.06455