IPD50N04S309ATMA1

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Parte del produttore

IPD50N04S309ATMA1

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
11005
Schede tecniche in linea
IPD50N04S309ATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):40 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:50A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:9mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 28µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.75 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):63W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO252-3
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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