DMN3018SFGQ-7

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Parte del produttore

DMN3018SFGQ-7

Produttore
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
DMN3018SFGQ-7 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.5A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:21mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:13.2 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±25V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:697 pF @ 15 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PowerDI3333-8
  • pacchetto / custodia:8-PowerVDFN
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