Name: IPAW60R190CEXKSA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPAW60R190CEXKSA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: IPAW60R190CEXKSA1

Produttore: IR (Infineon Technologies)

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 659

Schede tecniche in linea: IPAW60R190CEXKSA1 PDF

IPAW60R190CEXKSA1 Avviso

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serie:CoolMOS™
pacchetto:Tube
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:26.7A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 630µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1400 pF @ 100 V
caratteristica dei piedi:Super Junction
dissipazione di potenza (max):34W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO220 Full Pack
pacchetto / custodia:TO-220-3 Full Pack

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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RJK5020DPK01-E Rochester Electronics	N-CHANNEL POWER MOSFET	Disponibile: 559	$6.57000
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NVD6414ANT4G Rochester Electronics	32A, 100V, 0.037OHM, N-CHANNEL,	Disponibile: 0	$0.49000
PCFQ5P10W Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 100V DIE	Disponibile: 0	$5.50000