MC1413BDR2

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Parte del produttore

MC1413BDR2

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - array
Serie
-
Disponibile
635
Schede tecniche in linea
MC1413BDR2 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo a transistor:7 NPN Darlington
  • corrente - collettore (ic) (max):500mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:1.6V @ 500µA, 350mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):-
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 350mA, 2V
  • potenza - max:-
  • frequenza - transizione:-
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:16-SOIC
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