HN1B01FU-GR,LF

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Parte del produttore

HN1B01FU-GR,LF

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
HN1B01FU-GR,LF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:NPN, PNP
  • corrente - collettore (ic) (max):150mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 100mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):100nA (ICBO)
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 2mA, 6V
  • potenza - max:200mW, 210mW
  • frequenza - transizione:150MHz
  • temperatura di esercizio:125°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:US6
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