2N2102

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Parte del produttore

2N2102

Produttore
NTE Electronics, Inc.
Descrizione
T-NPN SI- GEN PUR AMP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo
Serie
-
Disponibile
500
Schede tecniche in linea
2N2102 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bag
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:NPN
  • corrente - collettore (ic) (max):1 A
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):65 V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:500mV @ 15mA, 150mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):2nA (ICBO)
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:40 @ 150mA, 10V
  • potenza - max:1 W
  • frequenza - transizione:-
  • temperatura di esercizio:175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-39
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