2SA1955FVBTPL3Z

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Parte del produttore

2SA1955FVBTPL3Z

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo
Serie
-
Disponibile
10780
Schede tecniche in linea
2SA1955FVBTPL3Z PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo a transistor:PNP
  • corrente - collettore (ic) (max):400 mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):12 V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 200mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):100nA (ICBO)
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:300 @ 10mA, 2V
  • potenza - max:100 mW
  • frequenza - transizione:130MHz
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SOT-723
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:VESM
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