NJVMJD112T4G

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Parte del produttore

NJVMJD112T4G

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo
Serie
-
Disponibile
41900
Schede tecniche in linea
NJVMJD112T4G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:NPN - Darlington
  • corrente - collettore (ic) (max):2 A
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):100 V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
  • corrente - interruzione del collettore (max):20µA
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
  • potenza - max:20 W
  • frequenza - transizione:25MHz
  • temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DPAK
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