NSVMMBT589LT1G

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Parte del produttore

NSVMMBT589LT1G

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo
Serie
-
Disponibile
24000
Schede tecniche in linea
NSVMMBT589LT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:PNP
  • corrente - collettore (ic) (max):1 A
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):30 V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:650mV @ 200mA, 2A
  • corrente - interruzione del collettore (max):100nA
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 500mA, 2V
  • potenza - max:310 mW
  • frequenza - transizione:100MHz
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SOT-23-3
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