2SC3332S-AA-SA

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Parte del produttore

2SC3332S-AA-SA

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo
Serie
-
Disponibile
964
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:NPN
  • corrente - collettore (ic) (max):700 mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):160 V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:400mV @ 25mA, 250mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):100nA (ICBO)
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:140 @ 100mA, 5V
  • potenza - max:700 mW
  • frequenza - transizione:120MHz
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:3-NP
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