PBRN123ES,126

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Parte del produttore

PBRN123ES,126

Produttore
NXP Semiconductors
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo, pre-polarizzato
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
PBRN123ES,126 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Box (TB)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo a transistor:NPN - Pre-Biased
  • corrente - collettore (ic) (max):800 mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):40 V
  • resistenza - base (r1):2.2 kOhms
  • resistenza - base emettitore (r2):2.2 kOhms
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:280 @ 300mA, 5V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:1.15V @ 8mA, 800mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):500nA
  • frequenza - transizione:-
  • potenza - max:700 mW
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-92-3
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