FJV3108RMTF

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Parte del produttore

FJV3108RMTF

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo, pre-polarizzato
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
FJV3108RMTF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo a transistor:NPN - Pre-Biased
  • corrente - collettore (ic) (max):100 mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):50 V
  • resistenza - base (r1):47 kOhms
  • resistenza - base emettitore (r2):22 kOhms
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:56 @ 5mA, 5V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):100nA (ICBO)
  • frequenza - transizione:250 MHz
  • potenza - max:200 mW
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
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