FQB13N06TM

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Parte del produttore

FQB13N06TM

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
FQB13N06TM PDF
Inchiesta
  • serie:QFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:13A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:135mOhm @ 6.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:7.5 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±25V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:310 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3.75W (Ta), 45W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D²PAK (TO-263AB)
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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